MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S (TSM80N1R2CL C0G)
Part Number: TSM80N1R2CL C0G
Documents / Media: datasheets TSM80N1R2CL C0G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 800V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.8A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 685pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 110W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-262S (I2PAK)
- Корпус: TO-262-3 Short Leads, I²Pak
Цена по запросу